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RS1M快恢复二极管，主要是指与快速晶闸管、高频率晶闸管和GT0、IGCT、leGT等晶闸管派生器件相匹配的FWD器件。RS1M该型号快恢复二极管通常电流大，电压高，反向恢复时间一般在1微秒以上，多采用扩散型通过结构和电子辐射技术，电流从数十安培到数千安培，电压从数百伏到3000伏不等。反向恢复的特性通�：苡�，大部分都是晶片结构，在国内FRD机器设备占有超过80%以上的市场份额，FRD总体来说与海外领先水准相差并不大。
然而，还有一种快恢复二极管，它与IGBT和功率MOSFET一同工作。那就是RS1M快恢复二极管，它不但性能快，还需要软特性，以避免高电压峰值、射频干扰和电磁干扰。一般国外生产IGBT、M0SFET的公司也生产了与之配套的快速恢复二极管，目前国内还没有商业IGBT和快速恢复二极管的量产。因为快恢复二极管比较IGBT来说，较为低端，但随着我国综合实力的提升，快恢复二极管也宣布正式立项，未来有着很好的发展趋势。
IFM是正向的电流正向峰值，而-diF/dt是正向通志电流下降的速率，VRM为反向峰值电压，VFM是二极管正向通态压降，tb为复合时间，IRM反向峰值电流，DIR为反向恢复电流下降。
RS1M快恢复二极管的技术性能及标准是：
(1)恢复速率快，即反向恢复时间trr要小。
(2)正向压降�。幢曜糣F小，以降低通电情况下的功能损耗。
(3)反向漏电流Ir�。约跎俟乇涨榭鱿鹿δ芩鸷�。
(4)反向峰值电流�。跎倭硕芊聪虻缌鞫钥刂频缏分衅渌刈爸玫挠跋欤�
(5)反向恢复的软S较大，减少电压瞬间感应过冲，避免震荡。
(6)快速恢复二极管还必须有很好的温度稳定性，以减少或避免由于器件温度升高而造成的性能退化现象。具有正的温度系数的正压功率二极管具有良好的温度稳定性。
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