MOS管的工作原理

MOS管一般有耗尽型和增强型两种。这里我们以增强型MOS为例分析。

MOS管由漏极、源极和栅极组成，还分为N沟和P沟两种MOS管。首先我们将漏极接到电源正极，源极接到电源负极。对mos管而言，在栅极无电压情况下，源极与漏极之间是两个背对背二极管，而不会有电流通过，此时的mos管处于截止状态。

如上图所示，栅极加电压时，当电压小于阈值 VGS (th)时，栅极与基片 P之间会因为电场的作用，使 P型半导体的源极和漏极上的负电子受到吸引而涌向栅极，而因为氧化膜的阻隔，将电子聚集在两个N沟道之间的半导体中。

如果栅极电压越高，电子浓度就会越高。当VGS (th)超过一个阈值，N型半导体将在源极和漏极之间形成一个电子通道。这段时间内，由于漏极上加了正电压，会形成漏极至源极的电流， MOS管导通。

还可以把两个N型半导体间的一条沟槽想象成一条河流，栅极电压的建立相当于在两者之间架起一座桥梁，其大小取决于栅压的大小。所以 MOS管才是控制电压的晶体管。把 MOS管想像为一个阀门，它的栅极就象一个控制水流是否能通过的开关。